氧化铍陶瓷
氧化铍陶瓷具备高熔点，抗热打击机能，其热导率与铜、银类似，并兼有极好地电绝缘特征，在常温下，热导率约为氧化铝陶 瓷二十倍，在电子产物器件的发烧是器件利用寿命和品质至命点，而氧化铍陶瓷，因为它有抱负导热率，有益用进步器件利用寿命 和品质，有益于器件向微型化成长。进步器件功率，是以，能够普遍利用于航天航空，核能源，冶金工程，电子产业，火箭制作等 等。
对氧化铍毒性，它是指可溶性氧化铍有毒，对咱们利用氧化铍陶瓷是颠末1650～1700℃烧结，使一种成瓷资料，它是不溶 于酸，碱，是以，利用氧化铍陶瓷（只需经由过程恰当的防护）是不毒的。
氧化铍陶瓷机能
| 名目 | 测试前提 | 计量单元及标记 | 目标 |
| 体积密度 | g/cm 3 | ≥2.85 | |
| 氧化铍含量 | % | ≥99 | |
| 气密性 | 经由过程 | ||
| 透液性 | 经由过程 | ||
| 抗折强度 | MPa | ≥140 | |
| 抗热震性 | 经由过程 | ||
| 线收缩系数 | 20℃-500℃ | ×10 -4 /℃ | 7-8.5 |
| 导热系数 | 40℃ | W/m·k | ≥250 |
| 分电常数 | 1MHz 20℃ | 6.5-7.5 | |
| 10GHz 20℃ | 6.5-7.5 | ||
| 介质消耗角正切值 | 1MHz 20℃ | ×10 -4 | ≤4 |
| 10GHz 20℃ | ×10 -4 | ≤8 | |
| 体积电阻率 | 100℃ | Ω.cm | ≥10 13 |
| 300℃ | Ω.cm | ≥10 10 | |
| 击身强度 | DC | KV/mm | ≥15 |
| 化学不变性 | 1:9HCl | ug/cm 2 | ≤0.3 |
| 10% NaOH | ug/cm 2 | ≤0.2 |
产物品质证实书
| 名目 | 测试前提 | 计量单元和标记 | 目标 | |
| 氧化铍（Be0） | ≥99.0 | |||
| 体积密度 | Volurne density | g/㎝3 | ≥2.85 | |
| 气密性 | 经由过程 | |||
| 透液性 | 经由过程 | |||
| 抗折强度 | Flexural strength | Mpa | ≥170 | |
| 线收缩系数 | Coeffici of expansion | 25℃-500℃ | X106 /℃ | 7-8.5 |
| 导热系数 | Thermal conductivity | 25℃ | W/m.k | ≥250 |
| 100℃ | W/m.k | ≥190 | ||
| 介电常数 | Permittivity | 1MHz.20℃ | < | 6.5-7.5 |
| 10GHz.20℃ | 6.5-7.5 | |||
| 介质消耗角正切值 | Loss tangrnt | 1MHz.20℃ | X10-4 | ≤4 |
| 10GHz.20℃ | X10-4 | ≤8 | ||
| 体积点阻率 | Voiume resistivity | 25℃ | Ω.cm | ≥1014 |
| 300℃ | Ω.cm | ≥1011 | ||
| 击穿强度 | Puncture strength | KV/mm（D，C） | ≥25 | |
| 化学不变性 | Chemical durability | 1:9HCL | Mg/cm3 | ≤0.3 |
| 10%NaoH | Mg/cm3 | ≤0.2 |
